- Titre
- Midwave infrared barrier detector based on Ga-free InAs/InAsSb type-II superlattice grown by molecular beam epitaxy on Si substrate
- Créateurs - sans rôle
- Q. Durlin - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ.P. Perez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESL. Cerutti - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ.B. Rodriguez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IEST. Cerba - Laboratoire des Technologies de la MicroélectroniqueT. Baron - Laboratoire des Technologies de la MicroélectroniqueE. Tournié - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESPhilippe Christol - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Détails de publication
- QSIP2018, Vol.96, pp.39-43
- Colloque
- QSIP2018 (Stockholm, Sweden, 06/2018)
- Identifiants
- 9946346909311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01947798
Acte de colloque
Midwave infrared barrier detector based on Ga-free InAs/InAsSb type-II superlattice grown by molecular beam epitaxy on Si substrate
QSIP2018, Vol.96, pp.39-43
QSIP2018 (Stockholm, Sweden, 06/2018)
01/2019
Indicateurs
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