- Titre
- Mid-IR laser diodes epitaxially grown by Molecular Beam epitaxy on silicon substrates
- Créateurs - sans rôle
- J.-B. Rodriguez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESL. Cerutti - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ. R. ReboulE. Tournié - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Colloque
- 11th Infrared Optoelectronics: Materials and devices (MIOMD-XI) (Chicago, United States, 2012)
- Identifiants
- 9945545809311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01861063
Acte de colloque
Mid-IR laser diodes epitaxially grown by Molecular Beam epitaxy on silicon substrates
11th Infrared Optoelectronics: Materials and devices (MIOMD-XI) (Chicago, United States, 2012)
Indicateurs
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