- Titre
- Micro-Photoluminescence of isolated GaN/AlN hexagonal QDs: Role of the trapping dynamics of charges at AlN defects
- Créateurs - sans rôle
- Richard Bardoux - Groupe d'étude des semiconducteursPierre Lefebvre - Groupe d'étude des semiconducteursThierry Guillet - Groupe d'étude des semiconducteursThierry Bretagnon - Groupe d'étude des semiconducteursThierry Taliercio - Groupe d'étude des semiconducteursBernard Gil - Groupe d'étude des semiconducteursFabrice Semond - SES (Luxembourg)
- Colloque
- 14th European Molecular Beam Epitaxy Workshop (14th Euro-MBE) (Grenade, Spain, 05/03/2007–07/03/2007)
- Note de subvention
- Action Concertée Incitative (ACI) "BUGATI" du MENRT.
- Identifiants
- 9964002309311
- Unité académique
- Laboratoire Charles Coulomb - L2C
- Langue
- Anglais
- Type de ressource
- Acte de colloque
- Champs locaux
- hal-01306794
Acte de colloque
Micro-Photoluminescence of isolated GaN/AlN hexagonal QDs: Role of the trapping dynamics of charges at AlN defects
14th European Molecular Beam Epitaxy Workshop (14th Euro-MBE) (Grenade, Spain, 05/03/2007–07/03/2007)
Indicateurs
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