Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) Growth Of Ga1-XInxAsySb1-y : First Electrical And Optical Characterization Of Materials And Devices

Georges Bougnot; Alain Brenac; Frederique Delannoy; Fabien Pascal; Fabien Roumanille; Alain Foucaran; Philippe Grosse; Josiane Bougnot; Leone Gouskov

doi:10.1117/12.943586

Acte de colloque

Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) Growth Of Ga1-XInxAsySb1-y : First Electrical And Optical Characterization Of Materials And Devices

Georges Bougnot, Alain Brenac, Frederique Delannoy, Fabien Pascal, Fabien Roumanille, Alain Foucaran, Philippe Grosse, Josiane Bougnot et Leone Gouskov

1987 Symposium on the Technologies for Optoelectronics (Cannes, France, 1987)

DOI: https://doi.org/10.1117/12.943586

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Détails

Titre: Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) Growth Of Ga1-XInxAsySb1-y : First Electrical And Optical Characterization Of Materials And Devices
Créateurs - sans rôle: Georges Bougnot - Observatoire des Sciences et des Techniques
Alain Brenac
Frederique Delannoy - Observatoire des Sciences et des Techniques
Fabien Pascal - Observatoire des Sciences et des Techniques
Fabien Roumanille - Observatoire des Sciences et des Techniques
Alain Foucaran - Observatoire des Sciences et des Techniques
Philippe Grosse - Observatoire des Sciences et des Techniques
Josiane Bougnot - Observatoire des Sciences et des Techniques
Leone Gouskov - Observatoire des Sciences et des Techniques
Colloque: 1987 Symposium on the Technologies for Optoelectronics (Cannes, France, 1987)
Identifiants: 9946284709311
Unité académique: Université de Montpellier
Langue: English
Type de ressource: Conference proceeding
Champs locaux: hal-01787467