Résumé
Measurements of terahertz resonant emission due to the excitation of plasma waves by an optical beating inside AlGaAs/InGaAs/InP high electron mobility transistors are reported at 300 K and 200 K.
- Titre
- Measurements of THz emission from nanometric-size transistors
- Créateurs - sans rôle
- P. Nouvel - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ. Torres - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESH. Marinchio - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IEST. Laurent - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESS. Blin - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESLaurent Chusseau - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESC. Palermo - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESL. Varani - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESP. ShiktorovE. StarikovV. GruzhinskisFrederic Teppe - Groupe d'étude des semiconducteursDominique Coquillat - Groupe d'étude des semiconducteurs
- Colloque
- 35th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves (Rome, Italy, 05/09/2010)
- Identifiants
- 9942124209311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-00636142