- Titre
- Measurement of Charge Evolution in Oxides of dc Stressed MOS Structures
- Créateurs - sans rôle
- L. Boyer - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESP. Notingher - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESS. Agnel - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESB. RoussetJ.-L. Sanchez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Colloque
- 010 IEEE Industry Applications Society Annual Meeting (Houston, United States, 2010)
- Identifiants
- 9947526009311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01882783
Acte de colloque
Measurement of Charge Evolution in Oxides of dc Stressed MOS Structures
010 IEEE Industry Applications Society Annual Meeting (Houston, United States, 2010)
Indicateurs
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