- Titre
- MBE growth of mid-IR diode lasers based on InAs/GaSb/InSb short-period superlattice active zones
- Créateurs - sans rôle
- A. Gassenq - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESL. Cerutti - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESAlexei Baranov - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESE. Tournié - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Colloque
- International Molecular Beam Epitaxy Conference (MBE international) (Vancouver, Canada, 2008)
- Identifiants
- 9945203609311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01825818
Acte de colloque
MBE growth of mid-IR diode lasers based on InAs/GaSb/InSb short-period superlattice active zones
International Molecular Beam Epitaxy Conference (MBE international) (Vancouver, Canada, 2008)
Indicateurs
1 Consultations de la notice