- Titre
- MBE growth of highly tensile strained Ga(In)As/GaSb quantum wells
- Créateurs - sans rôle
- A. Gassenq - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESE. Luna - Paul-Drude-Institut für FestkörperelektronikT. Taliercio - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESA. Trampert - Paul-Drude-Institut für FestkörperelektronikE. Tournié - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Colloque
- 16th Int. Conf. on Molecular-Beam Epitaxy (MBE16) (Berlin, Germany, 2010)
- Identifiants
- 9945028209311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01830962
Acte de colloque
MBE growth of highly tensile strained Ga(In)As/GaSb quantum wells
16th Int. Conf. on Molecular-Beam Epitaxy (MBE16) (Berlin, Germany, 2010)
Indicateurs
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