- Titre
- Low-threshold continuous-wave operation of 2.38 µm GaInAsSb/GaSb type-II quantum-well laser diodes
- Créateurs - sans rôle
- A. Joullié - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierY. Cuminal - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierA. N. Baranov - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierD. BecJ.-C. NicolasP. Grech - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierY. Rouillard - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierG. GlastreR. Blondeau - Thales Research and Technology [Palaiseau]
- Colloque
- IEEE 16th International Semiconductor Laser Conference (ISLC) (Nara, Japan, 1998)
- Identifiants
- 9942308909311
- Unité académique
- Université de Montpellier
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01794494
Acte de colloque
Low-threshold continuous-wave operation of 2.38 µm GaInAsSb/GaSb type-II quantum-well laser diodes
IEEE 16th International Semiconductor Laser Conference (ISLC) (Nara, Japan, 1998)
Indicateurs
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