Low threshold 2.37 µm GaInAsSb/AlGaAsSb  QW lasers: The ideal Quantum Well laser ?

Acte de colloque

K. O’brien, S.J. Sweeney, A.R. Adams, S.R. Jin, C.N. Ahmad, B.N. Murdin, A. Salhi, Y. Rouillard et A. Joullié

12th International Conference on Narrow Gap Semiconductors (Toulouse, France, 03/07/2005–07/07/2005)

2005

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Titre: Low threshold 2.37 µm GaInAsSb/AlGaAsSb QW lasers: The ideal Quantum Well laser ?
Créateurs - sans rôle: K. O’brien - IBM Almaden Research Center [San Jose]
S.J. Sweeney - Advanced Technology Institute
A.R. Adams - Advanced Technology Institute
S.R. Jin
C.N. Ahmad
B.N. Murdin
A. Salhi - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de Montpellier
Y. Rouillard - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de Montpellier
A. Joullié - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de Montpellier
Colloque: 12th International Conference on Narrow Gap Semiconductors (Toulouse, France, 03/07/2005–07/07/2005)
Identifiants: 9942406609311
Unité académique: Université de Montpellier
Langue: English
Type de ressource: Conference proceeding
Champs locaux: hal-01793903