- Titre
- Low frequency noise study of X-ray irradiated Si/SiGe:C BiCMOS technology bipolar transistors
- Créateurs - sans rôle
- A Adebabay Belie - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ El Beyrouthy - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESFabien Pascal - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ Boch - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IEST Maraine - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESM Bouhouche - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESBruno Sagnes - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESS Haendler - STMicroelectronics [Crolles]P Chevalier - STMicroelectronics [Crolles]D Gloria - STMicroelectronics [Crolles]
- Colloque
- 26th International Conference on Noise and Fluctuations (Grenoble, France, 17/10/2023–20/10/2023)
- Identifiants
- 9940366909311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-04296176
Acte de colloque
Low frequency noise study of X-ray irradiated Si/SiGe:C BiCMOS technology bipolar transistors
26th International Conference on Noise and Fluctuations (Grenoble, France, 17/10/2023–20/10/2023)
Indicateurs
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