- Titre
- Low frequency noise modeling of SOI MOSFETs using Green's function approach
- Créateurs - sans rôle
- J. Elhusseini - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESFrédéric Martinez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ. Armand - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESM. Bawedin - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESM. Valenza - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESF. Pascal - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESR. Ritzenthaler - Universitat Rovira i VirgiliF. Lime - Universitat Rovira i VirgiliB. Iñiguez - Universitat Rovira i VirgiliOlivier Faynot - Laboratoire d'Électronique des Technologies de l'Information
- Détails de publication
- International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF), pp.348-351
- Colloque
- International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF) (Toronto, Canada, 12/06/2011–16/06/2011)
- Identifiants
- 9935371709311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-02066863
Acte de colloque
Low frequency noise modeling of SOI MOSFETs using Green's function approach
International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF), pp.348-351
International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF) (Toronto, Canada, 12/06/2011–16/06/2011)
Indicateurs
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