- Titre
- Low Frequency Noise in advanced 55nm BiCMOS SiGeC Heterojunction Bipolar Transistors : impact of collector doping
- Créateurs - sans rôle
- B. Sagnes - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESF. Pascal - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESM. Seif - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESA. Hoffmann - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESS. Haendler - STMicroelectronics [Crolles]P. Chevalier - STMicroelectronics [Crolles]D. Gloria - STMicroelectronics [Crolles]
- Colloque
- 2017 International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF) (Vilnius, Lithuania, 2017)
- Identifiants
- 9945507009311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01907725
Acte de colloque
Low Frequency Noise in advanced 55nm BiCMOS SiGeC Heterojunction Bipolar Transistors : impact of collector doping
2017 International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF) (Vilnius, Lithuania, 2017)
Indicateurs
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