- Titre
- Long-Term Memory Effects in Photo-Excited InGaAs High-Electron-Mobility- Transistors
- Créateurs - sans rôle
- L. Tohme - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESS. Blin - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESP. Nouvel - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ. Torres - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ. WangK.P. TseK.Y. ChuY.C. ChanC. Palermo - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESL. Varani - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Colloque
- 17th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (Santa Barbara, United States, 2011)
- Identifiants
- 9942136109311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-02455713
Acte de colloque
Long-Term Memory Effects in Photo-Excited InGaAs High-Electron-Mobility- Transistors
17th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (Santa Barbara, United States, 2011)
Indicateurs
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