- Titre
- Le QHET, transistor à électrons chauds à base d’InAs : vers un transport vertical résonant ultra-rapide
- Créateurs - sans rôle
- R. Teissier - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESH. Nguyen VanJ.-C. MorenoAlexei Baranov - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESG. Sabatini - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESL. Varani - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Colloque
- 13ème Journées Nano, Micro et Optoélectronique (Les Issambres, France, 2010)
- Identifiants
- 9945025609311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01830488
Acte de colloque
Le QHET, transistor à électrons chauds à base d’InAs : vers un transport vertical résonant ultra-rapide
13ème Journées Nano, Micro et Optoélectronique (Les Issambres, France, 2010)
Indicateurs
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