Résumé
Le comportement bimode stable d'un laser semiconducteur à 4 sections émettant à 1,55 μm est démontré et analysé. L'obtention des deux modes est dépendante de la valeur du courant injecté dans la zone de Bragg qui constitue le filtre de fond de cavité du laser. La caractérisation exhaustive du fonctionnement bimode montre que ce laser est parfaitement utilisable pour la génération THz par photomélange.