Laser à semiconducteur en cavité externe bipolarisé et bifréquence pour les horloges atomiques

Jessica Barrientos-Barria; Fabiola A. Camargo; Sylvie Janicot; Isabelle Sagnes; Arnaud Garnache; Ghaya Baili; Loïc Morvan; Patrick Georges; Gaëlle Lucas-Leclin

Laser à semiconducteur en cavité externe bipolarisé et bifréquence pour les horloges atomiques

Acte de colloque

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Laser à semiconducteur en cavité externe bipolarisé et bifréquence pour les horloges atomiques

Jessica Barrientos-Barria, Fabiola A. Camargo, Sylvie Janicot, Isabelle Sagnes, Arnaud Garnache, Ghaya Baili, Loïc Morvan, Patrick Georges et Gaëlle Lucas-Leclin

COLOQ (Marseille, France, 07/2011)

Résumé

Nous décrivons l'émission simultanée en phase sur deux fréquences optiques polarisées perpendiculairement d'un laser à semiconducteur en cavité externe pompé optiquement. L'émission est accordable autour de la raie D2 du césium à 852,14 nm. La puissance optique est d'environ 10 mW sur chaque polarisation.

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Détails

Titre: Laser à semiconducteur en cavité externe bipolarisé et bifréquence pour les horloges atomiques
Créateurs - sans rôle: Jessica Barrientos-Barria - Laboratoire Charles Fabry
Fabiola A. Camargo - Laboratoire Charles Fabry
Sylvie Janicot - Laboratoire Charles Fabry
Isabelle Sagnes - Laboratoire de Photonique et de Nanostructures
Arnaud Garnache - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Ghaya Baili - Thales Research and Technology [Palaiseau]
Loïc Morvan - Thales Research and Technology [Palaiseau]
Patrick Georges - Laboratoire Charles Fabry
Gaëlle Lucas-Leclin - Laboratoire Charles Fabry
Colloque: COLOQ (Marseille, France, 07/2011)
Identifiants: 9946569809311
Unité académique: Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Langue: French
Type de ressource: Conference proceeding
Champs locaux: hal-00618007