- Titre
- La méthode de l’onde thermique appliquée à la caractérisation de structures MOS dans les composants de puissance à semi-conducteurs : approche théorique et résultats expérimentaux
- Créateurs - sans rôle
- P. Notingher - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESS. Agnel - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESO. Fruchier - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESL. Boyer - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESA. Toureille - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESB. Rousset - Institut Nanosciences et CryogénieJ.-L. Sanchez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Colloque
- Colloque Matériaux du Génie Electrique MGE (Toulouse, France, 2008)
- Identifiants
- 99130148609311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01883681
Acte de colloque
La méthode de l’onde thermique appliquée à la caractérisation de structures MOS dans les composants de puissance à semi-conducteurs : approche théorique et résultats expérimentaux
Colloque Matériaux du Génie Electrique MGE (Toulouse, France, 2008)
Indicateurs
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