- Titre
- Investigation of 2 inch SiC layers grown in a resistively-heated LP-CVD reactor with horizontal “hot-walls”
- Créateurs - sans rôle
- Thierry Chassagne - NOVASiC (France)André Leycuras - SES (Luxembourg)Carole Balloud - Groupe d'étude des semiconducteursPhilippe Arcade - Groupe d'étude des semiconducteursHervé Peyre - Groupe d'étude des semiconducteursSandrine Juillaguet - Groupe d'étude des semiconducteurs
- Détails de publication
- Materials Science Forum, Vol.457-460, pp.273-276
- Colloque
- 10th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2003) (Lyon, France, 05/10/2003–10/10/2003)
- Identifiants
- 9945509009311
- Unité académique
- Université de Montpellier
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-00389899
Acte de colloque
Investigation of 2 inch SiC layers grown in a resistively-heated LP-CVD reactor with horizontal “hot-walls”
Materials Science Forum, Vol.457-460, pp.273-276
10th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2003) (Lyon, France, 05/10/2003–10/10/2003)
2004
Indicateurs
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