- Titre
- Interface properties of (Ga,In)(N,As) and (Ga,In)(As,Sb) materials systems grown by molecular beam epitaxy
- Créateurs - sans rôle
- E. Luna - Paul-Drude-Institut für FestkörperelektronikF. IshikawaB. SatpatiJean-Baptiste Rodriguez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESE. Tournié - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESA. Trampert - Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik
- Colloque
- International Molecular Beam Epitaxy Conference (MBE international) (Vancouver, Canada, 2008)
- Identifiants
- 9945099609311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01825828
Acte de colloque
Interface properties of (Ga,In)(N,As) and (Ga,In)(As,Sb) materials systems grown by molecular beam epitaxy
International Molecular Beam Epitaxy Conference (MBE international) (Vancouver, Canada, 2008)
Indicateurs
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