- Titre
- Interface oxide trap characterisation in germanium-on-insulator 0.12 μm PMOS transistors by drain current noise measurements
- Créateurs - sans rôle
- J. Gyani - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESS. Soliverès - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESFrédéric Martinez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESM. Valenza - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESC. Le Royer - Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies AlternativesE. Augendre - Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies AlternativesK. Romanjek - Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies AlternativesCharlotte Drazek - Soitec
- Détails de publication
- 2009 10th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS, pp.87-90
- Colloque
- 2009 10th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS (Aachen, Germany, 18/03/2009–20/03/2009)
- Identifiants
- 9942990909311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-02066839
Acte de colloque
Interface oxide trap characterisation in germanium-on-insulator 0.12 μm PMOS transistors by drain current noise measurements
2009 10th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS, pp.87-90
2009 10th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS (Aachen, Germany, 18/03/2009–20/03/2009)
Indicateurs
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