- Titre
- Intégration épitaxiale de lasers à base de GaSb sur substrat Si pour émission du proche au moyen IR
- Créateurs - sans rôle
- E. Tournié - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESL. Cerutti - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESA. Castellano - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESK. Madiomanana - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ.-B. Rodriguez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Colloque
- GDR Ondes (Orsay, France, 2014)
- Identifiants
- 9945365009311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01903151
Acte de colloque
Intégration épitaxiale de lasers à base de GaSb sur substrat Si pour émission du proche au moyen IR
GDR Ondes (Orsay, France, 2014)
Indicateurs
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