- Titre
- Innovative Simulations of Heavy Ion cross-sections in a 130nm CMOS SRAM. Influence of the passivation layers and PMOS contribution
- Créateurs - sans rôle
- V. Correas - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESFrédéric Saigné - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESB. Sagnes - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ. Boch - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESG. Gasiot - STMicroelectronics [Crolles]D. GiotP. Roche - STMicroelectronics [Crolles]
- Colloque
- 44th IEEE Nuclear Space and Radiation Effects Conference (Honolulu, United States, 2007)
- Identifiants
- 9946888909311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01822422
Acte de colloque
Innovative Simulations of Heavy Ion cross-sections in a 130nm CMOS SRAM. Influence of the passivation layers and PMOS contribution
44th IEEE Nuclear Space and Radiation Effects Conference (Honolulu, United States, 2007)
Indicateurs
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