- Titre
- Influence of the GaSb layer thickness on the properties of InAs/GaSb SL photodiodes
- Créateurs - sans rôle
- J.-B. Rodriguez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESR. Taalat - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESM. Delmas - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESY. Laaroussi - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESPhilippe Christol - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Colloque
- 40th Int. Symp. on Compound Semiconductors 2013 (ISCS2013) (Kobe, Japan, 2013)
- Identifiants
- 9948016709311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01874659
Acte de colloque
Influence of the GaSb layer thickness on the properties of InAs/GaSb SL photodiodes
40th Int. Symp. on Compound Semiconductors 2013 (ISCS2013) (Kobe, Japan, 2013)
Indicateurs
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