- Titre
- Influence of shallow versus deep etching on dark current and quantum efficiency in InAs/GaSb superlattice photodetectors and focal plane arrays for long wavelength infrared detection
- Créateurs - sans rôle
- L. Höglund - Electrum 236J.B. Rodriguez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESR. Marcks von Würtemberg - Electrum 236S. Naureen - Electrum 236R. Ivanov - Electrum 236C. Asplund - IRnova (Sweden)Rodolphe Alchaar - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESPhilippe Christol - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESA. Rouvié - Airbus Defence and Space [Toulouse]J. Brocal - Airbus Defence and Space [Toulouse]O. Saint-Pé - Airbus Defence and Space [Toulouse]E. Costard - Electrum 236
- Détails de publication
- QSIP2018, Vol.95, pp.158-163
- Colloque
- QSIP2018 (Stockholm, Sweden, 06/2018)
- Identifiants
- 9944708409311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01962902
Acte de colloque
Influence of shallow versus deep etching on dark current and quantum efficiency in InAs/GaSb superlattice photodetectors and focal plane arrays for long wavelength infrared detection
QSIP2018, Vol.95, pp.158-163
QSIP2018 (Stockholm, Sweden, 06/2018)
12/2018
Indicateurs
1 Consultations de la notice