- Titre
- Influence of Site Competition Effects on Dopant Incorporation during Chemical Vapor Deposition of 4H-SiC Epitaxial Layers
- Créateurs - sans rôle
- Roxana Arvinte - SES (Luxembourg)Marcin Zielinski - NOVASiC (France)Thierry Chassagne - Savoie TechnolacMarc Portail - SES (Luxembourg)Adrien Michon - Laboratoire de Photonique et de NanostructuresPawel Kwasnicki - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2CSandrine Juillaguet - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2CHervé Peyre - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2C
- Détails de publication
- 10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Vol.821-823, pp.149-152
- Colloque
- 10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (Grenoble, France, 09/2014)
- Identifiants
- 99151797909311
- Unité académique
- Laboratoire Charles Coulomb - L2C
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-02025329
Acte de colloque
Influence of Site Competition Effects on Dopant Incorporation during Chemical Vapor Deposition of 4H-SiC Epitaxial Layers
10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Vol.821-823, pp.149-152
10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (Grenoble, France, 09/2014)
06/2015
Indicateurs
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