Influence of High Magnetic Field and Gate Length on Terahertz Detection by Field Effect Transistors

Acte de colloque

Wojciech Knap, Hadley Videlier, Stephane Boubanga Tombet, Frederic Teppe, Dominique Coquillat, Nina Diakonova, J. Lusakowski et K. Karpierz

SET159 Specialists Meeting on Terahertz and Other Electromagnetic Wave Techniques for Defence and Se (Vilnius, Lithuania, 03/05/2010)

Résumé

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Titre: Influence of High Magnetic Field and Gate Length on Terahertz Detection by Field Effect Transistors
Créateurs - sans rôle: Wojciech Knap - Groupe d'étude des semiconducteurs
Hadley Videlier - Groupe d'étude des semiconducteurs
Stephane Boubanga Tombet - Groupe d'étude des semiconducteurs
Frederic Teppe - Groupe d'étude des semiconducteurs
Dominique Coquillat - Groupe d'étude des semiconducteurs
Nina Diakonova - Groupe d'étude des semiconducteurs
J. Lusakowski - Institute of Experimental Physics of the Slovak Academy of Sciences
K. Karpierz - Institute of Experimental Physics of the Slovak Academy of Sciences
Colloque: SET159 Specialists Meeting on Terahertz and Other Electromagnetic Wave Techniques for Defence and Se (Vilnius, Lithuania, 03/05/2010)
Identifiants: 9939092909311
Unité académique: Université de Montpellier
Langue: English
Type de ressource: Conference proceeding
Champs locaux: hal-00812125