- Titre
- Influence of Gate Oxide Short Defects on the Stability of Minimal Sized SRAM Core-Cell by Applying Non-Split Models
- Créateurs - sans rôle
- Jean-Marc J.-M. Galliere - Université de Montpellier, Laboratoire d'Informatique de Robotique et de Microélectronique de Montpellier - LIRMMFlorence Azaïs - Conception et Test de Systèmes MICroélectroniquesMichel Renovell - Conception et Test de Systèmes MICroélectroniquesLuigi Dilillo - Conception et Test de Systèmes MICroélectroniques
- Détails de publication
- 4th IEEE International Conference on Design and Technology of Integrated Systems in Nanoscale Era, pp.225-229
- Colloque
- DTIS: Design and Technology of Integrated Systems in Nanoscale Era (Cairo, Egypt, 2009)
- Identifiants
- 9944171609311
- Unité académique
- Laboratoire d'Informatique de Robotique et de Microélectronique de Montpellier - LIRMM
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- lirmm-00370798
Acte de colloque
Influence of Gate Oxide Short Defects on the Stability of Minimal Sized SRAM Core-Cell by Applying Non-Split Models
4th IEEE International Conference on Design and Technology of Integrated Systems in Nanoscale Era, pp.225-229
DTIS: Design and Technology of Integrated Systems in Nanoscale Era (Cairo, Egypt, 2009)
06/04/2009
Indicateurs
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