- Titre
- Influence of Carbon Incorporation on the Low Frequency Noise of Si/SiGe :C HBTs based on 0.25 µm BICMOS Technology
- Créateurs - sans rôle
- Patrice Benoit - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierJérémy Raoult - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierColette Delseny - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierFabien Pascal - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierJean Charles Vildeuil - STMicroelectronics [Crolles]B. SzelagA. Monroy
- Colloque
- ICNF (Salamanca, Spain, 19/09/2005)
- Identifiants
- 9945558609311
- Unité académique
- Université de Montpellier
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01894367
Acte de colloque
Influence of Carbon Incorporation on the Low Frequency Noise of Si/SiGe :C HBTs based on 0.25 µm BICMOS Technology
ICNF (Salamanca, Spain, 19/09/2005)
Indicateurs
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