- Titre
- InAs/GaSb thin layers directly grown on nominal (001)-Si substrate by MOCVD for the fabrication of InAs FINFET
- Créateurs - sans rôle
- Tiphaine Cerba - Laboratoire des Technologies de la MicroélectroniqueMickaël Martin - Laboratoire des Technologies de la MicroélectroniqueJeremy Moeyaert - Laboratoire des Technologies de la MicroélectroniqueReynald Alcotte - Laboratoire des Technologies de la MicroélectroniqueBassem Salem - Laboratoire des Technologies de la MicroélectroniqueEtienne Eustache - Laboratoire des Technologies de la MicroélectroniquePhilippe Bézard - Laboratoire des Technologies de la MicroélectroniqueXavier Chevalier - ArkemaGeoffrey Lombard - ArkemaFranck Bassani - Laboratoire des Technologies de la MicroélectroniqueSylvain David - Laboratoire des Technologies de la MicroélectroniqueJean-Luc Rouvière - Laboratoire d'Etude des Matériaux par Microscopie AvancéeGeorge Beainy - Laboratoire des Technologies de la MicroélectroniqueLaurent Cerutti - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJean-Baptiste Rodriguez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESEric Tournié - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESHervé Boutry - Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies AlternativesBawedin M. - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et PhotoniqueThierry Baron - Laboratoire des Technologies de la Microélectronique
- Colloque
- 19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE 2018) (Nara, Japan, 03/06/2018–06/06/2018)
- Identifiants
- 99110370909311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01954906
Acte de colloque
InAs/GaSb thin layers directly grown on nominal (001)-Si substrate by MOCVD for the fabrication of InAs FINFET
19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE 2018) (Nara, Japan, 03/06/2018–06/06/2018)
Indicateurs
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