- Titre
- InAs hot electron transistors with cutoff frequency above 200 GHz
- Créateurs - sans rôle
- H. Nguyen VanA. N. Baranov - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESR. Teissier - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESM. Zaknoune - Institut d'électronique de microélectronique et de nanotechnologie
- Colloque
- 24th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2012 (Santa Barbara, CA, United States, 2012)
- Identifiants
- 9946687909311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-00797314
Acte de colloque
InAs hot electron transistors with cutoff frequency above 200 GHz
24th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2012 (Santa Barbara, CA, United States, 2012)
Indicateurs
1 Consultations de la notice