- Titre
- Improvement of the Specific Contact Resistance on P-Type 4H-SiC by Using a Highly P-Typed Doped 4H-SiC Layer Selectively Grown by VLS Transport
- Créateurs - sans rôle
- Nicolas Thierry-Jebali - Université Claude Bernard Lyon 1Arthur Vo-Ha - Université Claude Bernard Lyon 1Davy Carole - Université Claude Bernard Lyon 1Mihai Lazar - Université Claude Bernard Lyon 1Gabriel Ferro - Université Claude Bernard Lyon 1Herve Peyre - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2CSylvie Contreras - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2CPierre Brosselard - Université Claude Bernard Lyon 1
- Contributeurs - sans rôle
- Marcin Zielinski
- Détails de publication
- Materials Science Forum, Vol.806, pp.57 - 60
- Colloque
- HeteroSiC-WASMPE (Nice, France, 17/06/2013–19/06/2013)
- Publications en série
- HeteroSiC and WASMPE 2013
- Identifiants
- 99153077009311
- Unité académique
- Laboratoire Charles Coulomb - L2C
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01391861
Acte de colloque
Improvement of the Specific Contact Resistance on P-Type 4H-SiC by Using a Highly P-Typed Doped 4H-SiC Layer Selectively Grown by VLS Transport
Materials Science Forum, Vol.806, pp.57 - 60
HeteroSiC and WASMPE 2013
HeteroSiC-WASMPE (Nice, France, 17/06/2013–19/06/2013)
06/2015
Indicateurs
1 Consultations de la notice