- Titre
- Improvement of 1/f noise in advanced 0.13 µm BiCMOS SiGe:C Heterojunction Bipolar Transistors
- Créateurs - sans rôle
- F. Pascal - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJérémy Raoult - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESBruno Sagnes - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESAlain Hoffmann - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESSebastien Haendler - STMicroelectronics
- Colloque
- ICNF (Toronto, Canada, 12/06/2011)
- Identifiants
- 9945559809311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01894345
Acte de colloque
Improvement of 1/f noise in advanced 0.13 µm BiCMOS SiGe:C Heterojunction Bipolar Transistors
ICNF (Toronto, Canada, 12/06/2011)
Indicateurs
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