- Titre
- Improved SiCOI Structures Elaborated by Heteroepitaxy of 3C-SiC on SOI
- Créateurs - sans rôle
- Thierry Chassagne - Laboratoire des Multimatériaux et InterfacesGabriel Ferro - Laboratoire des Multimatériaux et InterfacesH. Y. Wang - Groupe d'étude des semiconducteursYanis Stoemenos - Department of Physics [Thessaloniki]Hervé Peyre - Groupe d'étude des semiconducteursSylvie Contreras - Groupe d'étude des semiconducteursJean Camassel - Groupe d'étude des semiconducteursYves Monteil - Laboratoire des Multimatériaux et InterfacesB. Ghyselen - Soitec (France)
- Détails de publication
- Materials Science Forum, Vol.389-393, pp.343-346
- Colloque
- International Conference on Silicon and Carbide and Related Materials 2001 (9th) (ICSCRM2001) (Tsukuba, Japan, 28/10/2001–02/11/2001)
- Identifiants
- 9941120609311
- Unité académique
- Université de Montpellier
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-00389892
Acte de colloque
Improved SiCOI Structures Elaborated by Heteroepitaxy of 3C-SiC on SOI
Materials Science Forum, Vol.389-393, pp.343-346
International Conference on Silicon and Carbide and Related Materials 2001 (9th) (ICSCRM2001) (Tsukuba, Japan, 28/10/2001–02/11/2001)
2002
Indicateurs
1 Consultations de la notice