Impact of gate current noise on drain current noise in 90 nm CMOS technology

Acte de colloque

M. Valenza, A. Laigle, Frédéric Martinez, A. Hoffmann et D. Rigaud

33rd European Solid-State Device Research - ESSDERC '03, pp.287-290

33rd European Solid-State Device Research - ESSDERC '03 (Estoril, France, 2003)

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Titre: Impact of gate current noise on drain current noise in 90 nm CMOS technology
Créateurs - sans rôle: M. Valenza - Université de Montpellier
A. Laigle - Université de Montpellier
Frédéric Martinez - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de Montpellier
A. Hoffmann - Université de Montpellier
D. Rigaud - Université de Montpellier
Détails de publication: 33rd European Solid-State Device Research - ESSDERC '03, pp.287-290
Colloque: 33rd European Solid-State Device Research - ESSDERC '03 (Estoril, France, 2003)
Identifiants: 9935262809311
Unité académique: Université de Montpellier
Langue: English
Type de ressource: Conference proceeding
Champs locaux: hal-02066811