- Titre
- Impact of Single Event Gate Rupture and latent defects on Power MOSFETs switching operation
- Créateurs - sans rôle
- A. Privat - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESAntoine Touboul - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESM. Petit - SupélecJ. Huselstein - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESFrédéric Wrobel - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ.-R. Vaillé - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESS. Bourdarie - ONERA - The French Aerospace Lab [Toulouse]R. Arinero - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESN. Chatry - TRAD [Labège]G. Chaumont - STMicroelectronicsE. Lorfèvre - Centre National d'Études SpatialesF. Saigné - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Colloque
- IEEE RADECS 2013 (Oxford, United Kingdom, 2013)
- Identifiants
- 9946915009311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01824651
Acte de colloque
Impact of Single Event Gate Rupture and latent defects on Power MOSFETs switching operation
IEEE RADECS 2013 (Oxford, United Kingdom, 2013)
Indicateurs
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