- Titre
- Impact of Process Options on Low Frequency Noise in Germanium on- Insulator (GeOI) high-K & Metal Gate pMOSFETs
- Créateurs - sans rôle
- J. Gyani - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESFrédéric Martinez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESS. Soliverès - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESM. Valenza - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESC. Le Royer - Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies AlternativesE. Augendre - Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies AlternativesL. Clavelier - Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
- Colloque
- International Conference on Ultimate Integration on Silicon (Glasgow, United Kingdom, 2010)
- Identifiants
- 9944474309311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-02064876
Acte de colloque
Impact of Process Options on Low Frequency Noise in Germanium on- Insulator (GeOI) high-K & Metal Gate pMOSFETs
International Conference on Ultimate Integration on Silicon (Glasgow, United Kingdom, 2010)
Indicateurs
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