- Titre
- Impact of Negative Bias Temperature Instability on the Single-Event Upset Threshold of a 65nm SRAM cell
- Créateurs - sans rôle
- I. El Moukhtari - Laboratoire de l'Intégration du Matériau au SystèmeV. Pouget - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESC. Larue - PULSCANFrédéric Darracq - Laboratoire de l'Intégration du Matériau au SystèmeD. Lewis - Laboratoire de l'Intégration du Matériau au SystèmeP. Perdu - Centre National d'Études Spatiales
- Colloque
- ESREF 2013 (Arcachon, France, 2013)
- Identifiants
- 9936690509311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01935692
Acte de colloque
Impact of Negative Bias Temperature Instability on the Single-Event Upset Threshold of a 65nm SRAM cell
ESREF 2013 (Arcachon, France, 2013)
Indicateurs
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