- Titre
- Hydrostatic pressure dependence of the photoluminescence of laterally anodized n-type porous silicon
- Créateurs - sans rôle
- J. Camassel - Groupe d'étude des semiconducteursE. Massone - Groupe d'étude des semiconducteursS. LyapinJ. AllègreP. VicenteA. Foucaran - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierA. RaymondJ.-L. Robert
- Colloque
- Proc. of the 21th ICPS (Beijing, China, 1992)
- Identifiants
- 9939123409311
- Unité académique
- Université de Montpellier
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01792427
Acte de colloque
Hydrostatic pressure dependence of the photoluminescence of laterally anodized n-type porous silicon
Proc. of the 21th ICPS (Beijing, China, 1992)
Indicateurs
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