- Titre
- Highly Tensile-Strained Ga0.5In0.5As/GaSb Heterostructures
- Créateurs - sans rôle
- T. Taliercio - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESA. Gassenq - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESE. Luna - Paul-Drude-Institut für FestkörperelektronikA. Trampert - Paul-Drude-Institut für FestkörperelektronikE. Tournié - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Colloque
- 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2010) (Takamatsu, Japan, 2010)
- Identifiants
- 9945131909311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01830920
Acte de colloque
Highly Tensile-Strained Ga0.5In0.5As/GaSb Heterostructures
37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2010) (Takamatsu, Japan, 2010)
Indicateurs
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