- Titre
- High ionizing dose effects on ultra thin SiO2/Si structures revealed by Conductive Atomic Force Microscopy
- Créateurs - sans rôle
- R. Arinero - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESAntoine Touboul - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESM. Ramonda - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESC. Guasch - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESY. Gonzalez-Velo - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ. Boch - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESFrédéric Saigné - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Colloque
- 2011 12th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems (RADECS) (Sevilla, France, 19/09/2011–23/09/2011)
- Identifiants
- 99152116409311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01791166
Acte de colloque
High ionizing dose effects on ultra thin SiO2/Si structures revealed by Conductive Atomic Force Microscopy
2011 12th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems (RADECS) (Sevilla, France, 19/09/2011–23/09/2011)
Indicateurs
1 Consultations de la notice