High Temperature Annealing of MBE-grown Mg-doped GaN

Acte de colloque

Open Access

Sylvie Contreras, Leszek Konczewicz, Herve Peyre, Sandrine Juillaguet, M. Al Khalfioui, S. Matta, M. Leroux, B. Damilano et J. Brault

Journal of Physics Conference Series, Vol.864

33RD INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS (Peking, China, 2017)

2017

Résumé

High Temperature Annealing of MBE-grown Mg-doped GaN

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https://doi.org/10.1088/1742-6596/864/1/012018Afficher

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Titre: High Temperature Annealing of MBE-grown Mg-doped GaN
Créateurs - sans rôle: Sylvie Contreras - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2C
Leszek Konczewicz - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2C
Herve Peyre - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2C
Sandrine Juillaguet - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2C
M. Al Khalfioui - Centre National de la Recherche Scientifique
S. Matta - Centre National de la Recherche Scientifique
M. Leroux - Centre National de la Recherche Scientifique
B. Damilano - Centre National de la Recherche Scientifique
J. Brault - Centre National de la Recherche Scientifique
Détails de publication: Journal of Physics Conference Series, Vol.864
Colloque: 33RD INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS (Peking, China, 2017)
Identifiants: 9936794009311
Unité académique: Laboratoire Charles Coulomb - L2C
Langue: English
Type de ressource: Conference proceeding
Champs locaux: hal-01935176