- Titre
- Heavy ion-induced latent defects dependence on oxide thickness: The reason why Post Gate Stress are especially dedicated to Power MOSFETs
- Créateurs - sans rôle
- A.M.J.F. Carvalho - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESAntoine Touboul - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESM. Marinoni - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESR. Arinero - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESFrédéric Saigné - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ. Bonnet
- Colloque
- 7th Symposium SIO2 Advanced Dielectrics an Related Devices (Saint-Etienne, France, 2008)
- Identifiants
- 9947000109311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01822739
Acte de colloque
Heavy ion-induced latent defects dependence on oxide thickness: The reason why Post Gate Stress are especially dedicated to Power MOSFETs
7th Symposium SIO2 Advanced Dielectrics an Related Devices (Saint-Etienne, France, 2008)
Indicateurs
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