- Titre
- Gunn Effect in n-InP MOSFET at positive gate bias and impact ionization conditions
- Créateurs - sans rôle
- V. GruzinskisE. Starikov - Semiconductor Physics Institute (Vilnius)P. Shiktorov - Semiconductor Physics Institute (Vilnius)H. Marinchio - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ. Torres - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESC. Palermo - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESL. Varani - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Colloque
- IEEE International Workshop On Computational Electronics (Paris, France, 2014)
- Identifiants
- 9942870509311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01923504
Acte de colloque
Gunn Effect in n-InP MOSFET at positive gate bias and impact ionization conditions
IEEE International Workshop On Computational Electronics (Paris, France, 2014)
Indicateurs
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