- Titre
- Growth of GaSb and Ga1-xA1xSb layers by metal organic vapor phase epitaxy
- Créateurs - sans rôle
- G. Bougnot - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierJ. Bougnot - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierD. Etienne - Université Savoie Mont BlancA. Foucaran - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierM. MarjanA. Melouah
- Colloque
- 15 th E.S.S.D.E.R.C. (Aachen, Germany, 1985)
- Identifiants
- 99152126509311
- Unité académique
- Université de Montpellier
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01791990
Acte de colloque
Growth of GaSb and Ga1-xA1xSb layers by metal organic vapor phase epitaxy
15 th E.S.S.D.E.R.C. (Aachen, Germany, 1985)
Indicateurs
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