- Titre
- Growth of GaA1Sb and GaInSb by metal organic vapor phase epitaxy
- Créateurs - sans rôle
- G. Bougnot - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierA. Foucaran - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierM. MarjanD. Etienne - Université Savoie Mont BlancJ. Bougnot - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierF. Delannoy - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierF. Roumanille
- Colloque
- 3rd. Int. Conf. of M.O.V.P.E. (Universal City, United States, 1986)
- Identifiants
- 99152126609311
- Unité académique
- Université de Montpellier
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01792008
Acte de colloque
Growth of GaA1Sb and GaInSb by metal organic vapor phase epitaxy
3rd. Int. Conf. of M.O.V.P.E. (Universal City, United States, 1986)
Indicateurs
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