Growth of Few Graphene Layers on 6H, 4H and 3C-SiC Substrates

Nicolas Camara; Jean-Roch Huntzinger; Antoine Tiberj; G. Rius; Benoit Jouault; F. Perez-Murano; N. Mestres; P. Godignon; Jean Camassel

Acte de colloque

Growth of Few Graphene Layers on 6H, 4H and 3C-SiC Substrates

Nicolas Camara, Jean-Roch Huntzinger, Antoine Tiberj, G. Rius, Benoit Jouault, F. Perez-Murano, N. Mestres, P. Godignon et Jean Camassel

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2008, Vol.615-617, pp.203-206

7th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (Barcelona (SPAIN), France, 07/09/2008)

2009

Résumé

epitaxial graphene

4H-SiC

6H-SiC

3C-SiC

AFM

Raman spectroscopy

GRAPHITE

We report a comparative investigation of Few layers graphene grown on 6H, 4H, and 3C-SiC substrates. We show that the size of the graphitic domains depends more on the < 0001 > SiC Surface orientation than the polytypism.

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Détails

Titre: Growth of Few Graphene Layers on 6H, 4H and 3C-SiC Substrates
Créateurs - sans rôle: Nicolas Camara - Groupe d'étude des semiconducteurs
Jean-Roch Huntzinger - Groupe d'étude des semiconducteurs
Antoine Tiberj - Groupe d'étude des semiconducteurs
G. Rius
Benoit Jouault - Groupe d'étude des semiconducteurs
F. Perez-Murano
N. Mestres
P. Godignon
Jean Camassel - Groupe d'étude des semiconducteurs
Détails de publication: SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2008, Vol.615-617, pp.203-206
Colloque: 7th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (Barcelona (SPAIN), France, 07/09/2008)
Identifiants: 9943277009311
Unité académique: Laboratoire Charles Coulomb - L2C
Langue: English
Type de ressource: Conference proceeding
Champs locaux: hal-00543294