Growth of Few Graphene Layers on 6H, 4H and 3C-SiC Substrates

N. Camara; J. R. Huntzinger; Antoine Tiberj; G. Rius; Benoit Jouault; F. Perez-Murano; N. Mestres; P. Godignon; J. Camassel

doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.615-617.203

Acte de colloque

Growth of Few Graphene Layers on 6H, 4H and 3C-SiC Substrates

N. Camara, J. R. Huntzinger, Antoine Tiberj, G. Rius, Benoit Jouault, F. Perez-Murano, N. Mestres, P. Godignon et J. Camassel

Materials Science Forum, Vol.615-617, pp.203-206

Materials Science Forum

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2008 (LAUBLSRUTISTR 24, CH-8717 STAFA-ZURICH, Switzerland, 2008)

2009

DOI: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.615-617.203

Résumé

epitaxial graphene

4H-SiC

6H-SiC

3C-SiC

AFM

Raman spectroscopy

We report a comparative investigation of Few layers graphene grown on 6H, 4H, and 3C-SiC substrates. We show that the size of the graphitic domains depends more on the < 0001 > SiC Surface orientation than the polytypism.

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Détails

Titre: Growth of Few Graphene Layers on 6H, 4H and 3C-SiC Substrates
Créateurs - sans rôle: N. Camara - Universitat Autònoma de Barcelona
J. R. Huntzinger - Université de Montpellier
Antoine Tiberj - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2C
G. Rius - Universitat Autònoma de Barcelona
Benoit Jouault - Université de Montpellier
F. Perez-Murano - Institut de Microelectrònica de Barcelona
N. Mestres - Imperial College London
P. Godignon - Institut de Microelectrònica de Barcelona
J. Camassel - Université de Montpellier
Contributeurs - sans rôle: PerezTomas
A and Godignon
P and Vellvehi
M and Brosselard
P
Détails de publication: Materials Science Forum, Vol.615-617, pp.203-206
Colloque: SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2008 (LAUBLSRUTISTR 24, CH-8717 STAFA-ZURICH, Switzerland, 2008)
Publications en série: Materials Science Forum
Identifiants: 9936022209311
Unité académique: Laboratoire Charles Coulomb - L2C; Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Langue: English
Type de ressource: Conference proceeding
Champs locaux: hal-03037530