- Titre
- Growth and characterization of low doped 3C-SiC layers deposited by the VLS technique
- Créateurs - sans rôle
- Jean Lorenzi - Laboratoire des Multimatériaux et InterfacesGeorgios Zoulis - Groupe d'étude des semiconducteursO. Kim-Hak - Laboratoire des Multimatériaux et InterfacesSandrine Juillaguet - Groupe d'étude des semiconducteursGabriel Ferro - Laboratoire des Multimatériaux et InterfacesJ. Camassel - Groupe d'étude des semiconducteurs
- Colloque
- International workshop on 3C-SiC hetero-epitaxy (HeteroSiC '09) (Catane, Italy, 2009)
- Identifiants
- 9936575809311
- Unité académique
- Université de Montpellier
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-00390727
Acte de colloque
Growth and characterization of low doped 3C-SiC layers deposited by the VLS technique
International workshop on 3C-SiC hetero-epitaxy (HeteroSiC '09) (Catane, Italy, 2009)
Indicateurs
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