- Titre
- Ge assisted SiC epitaxial growth by CVD on SiC substrate
- Créateurs - sans rôle
- Kassem Alassaad - Université Claude Bernard Lyon 1Véronique Soulière - Université Claude Bernard Lyon 1Beatrice Doisneau - Laboratoire des Matériaux et du Génie PhysiqueFrançois Cauwet - Université Claude Bernard Lyon 1Hervé Peyre - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2CDavy Carole - Université Claude Bernard Lyon 1Didier Chaussende - Laboratoire des Matériaux et du Génie PhysiqueGabriel Ferro - Université Claude Bernard Lyon 1
- Détails de publication
- 15th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Vol.778-780, pp.187-192
- Colloque
- 15th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (Miyasaki, Japan, 29/09/2013)
- Identifiants
- 99151680009311
- Unité académique
- Laboratoire Charles Coulomb - L2C
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-02025422
Acte de colloque
Ge assisted SiC epitaxial growth by CVD on SiC substrate
15th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Vol.778-780, pp.187-192
15th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (Miyasaki, Japan, 29/09/2013)
2014
Indicateurs
1 Consultations de la notice